PRODUCTS Factory, Fournisseuren - China PRODUCTS Hiersteller

InGaAs APD Moduler

Et ass Indium Gallium Arsenid Lawine Photodiode Modul mat Pre-Verstäerkungsschaltung, deen e schwaache Stroumsignal erlaabt ze verstäerken an a Spannungssignal ëmzewandelen fir de Konversiounsprozess vun der Photon-photoelektrescher Signalverstärkung z'erreechen.

UFRO Detail
Véier-Quadrant APD

Et besteet aus véier selwecht Unitéiten vun Si Lawinen photodiode datt héich Empfindlechkeet rangéiert vun UV ze NIR gëtt.D'Spëtzeaktiounswellelängt ass 980nm.Responsabilitéit: 40 A/W bei 1064 nm.

UFRO Detail
Véier-Quadrant APD Moduler

Et besteet aus véier sëlwecht Unitéiten vun Si Lawine photodiode mat Pre-amplification Circuit datt schwaach aktuell Signal erlaabt ginn verstäerkt an Volt Signal ëmgerechent der Konversioun Prozess vun photon-photoelectric-Signal Verstäerkung z'erreechen.

UFRO Detail
850nm Si PIN Moduler

Et ass 850nm Si PIN Photodiode Modul mat Pre-Verstäerkung Circuit datt schwaach aktuell Signal erlaabt ze verstäerkt ginn an ze Spannung Signal konvertéieren fir de Konversiounsprozess vun der Photon-photoelektrescher Signalverstärkung z'erreechen.

UFRO Detail
900nm Si PIN photodiode

Et ass Si PIN Photodiode déi ënner ëmgedréint Bias funktionnéiert a bitt héich Empfindlechkeet rangéiert vun UV bis NIR.D'Peak Äntwert Wellelängt ass 930nm.

UFRO Detail
1064nm Si PIN photodiode

Et ass Si PIN Photodiode déi ënner ëmgedréint Bias funktionnéiert a bitt héich Empfindlechkeet rangéiert vun UV bis NIR.D'Spëtzeaktiounswellelängt ass 980nm.Responsabilitéit: 0,3A/W bei 1064 nm.

UFRO Detail
Fiber Si PIN Moduler

Optesch Signal gëtt an aktuellt Signal ëmgewandelt andeems optesch Faser agefouert gëtt.De Si PIN Modul ass mat Pre-Verstäerkung Circuit datt schwaach aktuell Signal erlaabt ze verstäerkt an engem Volt Signal konvertéieren fir de Konversiounsprozess vun der Photon-photoelektrescher Signalverstärkung z'erreechen.

UFRO Detail
Véier-Quadrant Si PIN

Et besteet aus véier selweschten Eenheeten vu Si PIN Photodiode déi ënner ëmgedréint funktionnéiert a bitt héich Empfindlechkeet rangéiert vun UV bis NIR.D'Spëtzeaktiounswellelängt ass 980nm.Responsabilitéit: 0,5 A/W bei 1064 nm.

UFRO Detail
Véier-Quadrant Si PIN Moduler

Et besteet aus eenzel oder verduebelt véier selwecht Unitéiten vun Si PIN photodiode mat Pre-amplification Circuit datt schwaach aktuell Signal erlaabt ginn verstäerkt an Volt Signal ëmgerechent der Konversioun Prozess vun photon-photoelektresch-Signal Verstäerkung z'erreechen.

UFRO Detail
UV verstäerkte Si PIN

Et ass Si PIN Photodiode mat verstäerkten UV, déi ënner Ëmgedréit funktionnéiert a bitt héich Empfindlechkeet rangéiert vun UV bis NIR.D'Peak Äntwert Wellelängt ass 800nm.Responsabilitéit: 0,15 A/W bei 340 nm.

UFRO Detail
1064nm YAG Laser -15mJ-5

Et ass e passiv Q-schalten Nd: YAG Laser mat 1064nm Wellelängt, ≥15mJ Peakkraaft, 1~5hz (justierbar) Pulswidderhuelungsquote an ≤8mrad Divergenzwinkel.Zousätzlech ass et e klengen a liichte Laser a fäeg héich Energieausgang z'erreechen, déi eng ideal Liichtquell vun der Distanz fir e puer Szenarie ka sinn, déi steif Ufuerderunge fir Volumen a Gewiicht hunn, sou wéi individuell Kampf an UAV gëlt an e puer Szenarie.

UFRO Detail
1064nm YAG Laser-15mJ-20

Et ass e passiv Q-schalten Nd：YAG Laser mat 1064nm Wellelängt, ≥15mJ Peak Muecht an ≤8mrad Divergenzwinkel.Zousätzlech ass et e klengen a liichte Laser deen eng ideal Liichtquell vu laanger Distanz ka sinn, déi an der héijer Frequenz (20Hz) rangéiert.

UFRO Detail