900nm Si PIN photodiode
Eegeschaften
- Frontside beliicht Struktur
- Niddereg donkel Stroum
- Héich Äntwert
- Héich Zouverlässegkeet
Uwendungen
- Optesch Faser Kommunikatioun, Sensing a Range
- Optesch Detektioun vun UV bis NIR
- Schnell optesch Pulserkennung
- Kontrollsystemer fir Industrie
Fotoelektresch Parameter (@Ta=25℃)
| Artikel # | Package Kategorie | Duerchmiesser vun der photosensitiver Uewerfläch (mm) | Spektral Äntwert Gamme (nm) |
Peak Äntwert Wellelängt (nm) | Responsabilitéit (A/W) λ = 900 nm
| Rising Zäit λ = 900 nm VR= 15V RL= 50 Ω(ns) | Däischter Stroum VR= 15V (nA) | Kräizung Kapazitéit VR= 15V f = 1 MHz (pF) | Decompte Volt (V)
|
| GT101Ф0.2 | Koaxial Typ II, 5501, TO-46, Plug Typ | Ф0.2 |
4-1100 |
930
| 0,63 | 4 | 0.1 | 0.8 | >200 |
| GT101Ф0.5 | Ф0,5 | 5 | 0.1 | 1.2 | |||||
| GT101F1 | Ф1.0 | 5 | 0.1 | 2.0 | |||||
| GT101Ф2 | BIS-5 | Ф2.0 | 7 | 0,5 | 6.0 | ||||
| GT101Ф4 | T0-8 | Ф4.0 | 10 | 1.0 | 20.0 | ||||
| GD3251Y | BIS-8 | Ф6.0 | 20 | 10 | 30 | ||||
| GT101F8 | T0-8 | Ф8.0 | 20 | 3.0 | 70,0 | ||||
| GD3252Y | T0-8 | 5,8×5,8 | 25 | 10 | 35 |
