InGaAs APD Moduler

Modell: GD6510Y/GD6511Y/GD6512Y

Kuerz Beschreiwung:

Et ass Indium Gallium Arsenid Lawine Photodiode Modul mat Pre-Verstäerkungsschaltung, deen e schwaache Stroumsignal erlaabt ze verstäerken an a Spannungssignal ëmzewandelen fir de Konversiounsprozess vun der Photon-photoelektrescher Signalverstärkung z'erreechen.

kréien Zitat Download

Technesch Parameter

Produit Tags

Eegeschaften

Frontside beliicht flaach Chip
Héich-Vitesse Äntwert
Héich Sensibilitéit vum Detektor

Uwendungen

Laser rangéiert
Laser Kommunikatioun
Laser Warnung

Fotoelektresch Parameter（@Ta=22±3℃)

Artikel #	Package Kategorie	Duerchmiesser vun der photosensitiver Uewerfläch (mm)	Spektral Äntwert Gamme (nm)	Decompte Volt (V)	Responsabilitéit M=10 λ = 1550 nm (kV/W)	Rising Zäit (ns)	Bandbreedung (MHz)	Temperatur Koeffizient T_a= -40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)	Kaméidi gläichwäerteg Muecht (pW/√Hz)	Konzentrizitéit (μm)	Ersat Typ an anere Länner
GD6510Y	BIS-8	0.2	1000-1700 Uhr	30-70	340	5	70	0.12	0.15	≤50	C3059-1550-R2A Fotoen
GD6511Y		0,5				10	35		0.21		-
GD6512Y		0,08				2.3	150		0.11		C3059-1550-R08B Fotoen