850nm Si PIN Moduler

Modell: GD4213Y/GD4251Y/GD4251Y-A/GD42121Y

Kuerz Beschreiwung:

Et ass 850nm Si PIN Photodiode Modul mat Pre-Verstäerkung Circuit datt schwaach aktuell Signal erlaabt ze verstäerkt ginn an ze Spannung Signal konvertéieren fir de Konversiounsprozess vun der Photon-photoelektrescher Signalverstärkung z'erreechen.

kréien Zitat Download

Technesch Parameter

Produit Tags

Eegeschaften

Héich-Vitesse Äntwert
Héich Sensibilitéit

Uwendungen

Laser Sicherung

Fotoelektresch Parameter (@Ta=22±3℃)

Artikel #	Package Kategorie	Duerchmiesser vun der photosensitiver Uewerfläch (mm)	Responsabilitéit	Rising Zäit (ns)	Dynamic Gamme (dB)	Betriebsspannung (V)	Kaméidi Volt (mV)	Notizen
Artikel #	Package Kategorie	Duerchmiesser vun der photosensitiver Uewerfläch (mm)	λ = 850 nm, φ_e= 1μW		λ = 850 nm	Betriebsspannung (V)	Kaméidi Volt (mV)	Notizen
GD4213Y	BIS-8	2	110	12	20	±5±0,3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0,3	40	(Inzidenzwinkel: 0°, Iwwerdroung vun 830nm ~ 910nm ≥90%
Spezifikatioune vun GD4251Y-A		10×1,5	130	18	20	±6±0,3	40
GD42121Y		10 × 0,95	110	20	20	±5±0,1	25
Notizen: D'Testbelaaschtung vum GD4213Y ass 50Ω, de Rescht anerer sinn 1MΩ