800 nm APD
Eegeschaften
- Frontside beliicht flaach Chip
- Héich-Vitesse Äntwert
- Héich APD Gewënn
- Niddereg Kräizung Kapazitéit
- Niddereg Kaméidi
Uwendungen
- Laser rangéiert
- Laser Radar
- Laser Warnung
Fotoelektresch Parameter（@Ta=22±3℃)
| Artikel # | Package Kategorie | Duerchmiesser vun der photosensitiver Uewerfläch (mm) | Spektral Äntwertbereich (nm) |
Peak Äntwert Wellelängt | Responsabilitéit λ = 800 nm φe=1μW M=100 (A/W) | Äntwert Zäit λ = 800 nm RL= 50 Ω (ns) | Däischter Stroum M=100 (nA) | Temperatur Koeffizient Ta = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)
| Total Kapazitéit M=100 f = 1 MHz (pF)
| Decompte Volt IR= 10μA (V) | ||
| Typ. | Max. | Min | Max | |||||||||
| Spezifikatioune vun GD5210Y-1-2-TO46 | BIS-46 | 0,23 |
400-1100
|
800 |
55
|
0.3 | 0,05 | 0.2 | 0,5 | 1.5 | 80 | 160 |
| Spezifikatioune vun GD5210Y-1-5-TO46 | BIS-46 | 0,50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
| Spezifikatioune vun GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC 3 | 0,23 | 0,05 | 0.2 | 1.5 | |||||||
| Spezifikatioune vun GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC 3 | 0,50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
