1064nm Si PIN photodiode
Eegeschaften
- Frontside beliicht Struktur
- Niddereg donkel Stroum
- Héich Äntwert
- Héich Zouverlässegkeet
Uwendungen
- Optesch Faser Kommunikatioun, Sensing a Range
- Optesch Detektioun vun UV bis NIR
- Schnell optesch Pulserkennung
- Kontrollsystemer fir Industrie
Fotoelektresch Parameter (@Ta=25℃)
| Artikel # | Package Kategorie | Duerchmiesser vun der photosensitiver Uewerfläch (mm) | Spektral Äntwert Gamme (nm) |
Peak Äntwert Wellelängt (nm) | Responsabilitéit (A/W) λ = 1064 nm
| Rising Zäit λ = 1064 nm VR= 40V RL= 50 Ω(ns) | Däischter Stroum VR= 40V (nA) | Kräizung Kapazitéit VR= 40V f = 1 MHz (pF) | Decompte Volt (V)
|
| GT102Ф0.2 | Koaxial Typ II,5501,TO-46 Plug Typ | Ф0.2 |
4-1100 |
980
| 0.3 | 10 | 0,5 | 0,5 | 100 |
| GT102Ф0.5 | Ф0,5 | 10 | 1.0 | 0.8 | |||||
| GT102Ф1 | Ф1.0 | 12 | 2.0 | 2.0 | |||||
| GT102Ф2 | BIS-5 | Ф2.0 | 12 | 3.0 | 5.0 | ||||
| GT102Ф4 | BIS-8 | Ф4.0 | 20 | 5.0 | 12.0 | ||||
| GD3310Y | BIS-8 | Ф8.0 | 30 | 15 | 50 | ||||
| GD3217Y | BIS-20 | Ф10,0 | 50 | 20 | 70 |
