1064nm APD Moduler

Modell: GD6212Y/GD6213Y/GD6219Y

Kuerz Beschreiwung:

Et ass verstäerkte Si Lawine photodiode Modul mat Pre-amplification Circuit datt schwaach aktuell Signal erlaabt ginn verstäerkt an Volt Signal ëmgerechent der Konversioun Prozess vun photon-photoelectric-Signal Verstäerkung z'erreechen.

kréien Zitat Download

Technesch Parameter

Produit Tags

Eegeschaften

Frontside beliicht flaach Chip
Héich-Vitesse Äntwert
Héich APD Gewënn

Uwendungen

Laser rangéiert
Laser Kommunikatioun
Laser Warnung

Fotoelektresch Parameter (@Ta=22±3℃)

Artikel #	Package Kategorie	Duerchmiesser vun der photosensitiver Uewerfläch (mm)	Spektral Äntwert Gamme (nm)	Decompte Volt (V)	Responsabilitéit M=100 λ = 1064 nm (kV/W)	Rising Zäit (ns)	Bandbreedung (MHz)	Temperatur Koeffizient Ta = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V/℃)	Kaméidi gläichwäerteg Muecht (pW/√Hz)	Konzentrizitéit (μm)	Ersat Typ an anere Länner
GD6212Y	BIS-8	0.8	40-1100	350-500	150	8.8	40	2.2	0.15	≤50	C30950
GD6213Y		0.8			200	2	175	2.2	0.15		C30659-1060-R8BH Fotoen
GD6219Y		3			280	7	50	2.4	0,27		C30659-1060-3A