Gefier-Laser Target Designator
MAIN Technesch Parameteren
| D'Haaptrei Parameteren vun der Laser Liichtjoer Quell | |
| Laser Wellelängt | 1064 nm ± 1 nm |
| Pompel Method | semiconductor Säit pompelen |
| Widderhuelen Frequenz | 0 ~ 20 Hz |
| Ausgangsenergie | ＞80 mJ @ 20 Hz |
| Bestrahlungsdistanz | ≮7 km |
| Q-Schaltmodus | Elektro-optesch Q-Schalter |
| Puls Breet | 10 ns ~ 20 ns |
| Beam Divergenz | ≯0,5mrad |
| Pulsenergie Stabilitéit | ＜5% (RMS) |
| Single Aarbechtszäit | ≥60s |
| Bereetgestallt vun | DC 24V ± 4V |
| Muecht | ＜240W (normal Temperatur Standby Stroum:＜2A, schaffen Peak aktuell＜10A, héich an niddreg Temperatur Standby aktuell＜3A) |
| Kommunikatioun Serien Hafen | RS422 |
| Extern Ausléiser Interface | 3V Differenziell Niveau Drive |
| Ausléiser Genauegkeet | ≯2μs@20Hz |
| Gewiicht | ≤8 kg |
| E fixe Wee | Stativ Ënnerstëtzung |
| Richteg Method | Human Eye Aiming & CCD Aiming |
| Laser rangéiert Parameteren | |
| Range Modus | 0 - 5 Hz an |
| Maximal Miessdistanz | >14 km |
| Minimum Mooss Distanz | 300m |
| Rangéiert Genauegkeet | ± 3m |
| Ëmweltadaptabilitéit | |
| Operatioun Temperatur | -40℃ ~ +50℃ |
| Späichertemperatur | -45°C——+65°C |
| Schock Vibration no GJB Ufuerderunge |
|
| Ausrüstung Dimensiounen | 400 mm × 250 mm × 120 mm |
| Kontroll Method | Schlëssel a Serien Kontroll |
