20mJ Laser Target Designator
MAIN Technesch Parameteren
| Main Parameteren vun der Laser Liichtquell | |
| Laser Wellelängt | 1064 nm ± 1 nm |
| Pompel Method | semiconductor Säit pompelen |
| Widderhuelen Frequenz | 0 ~ 20 Hz |
| Ausgangsenergie | 20 mJ ~ 100 mj @ 20 Hz |
| Q-Schaltmodus | Elektro-optesch Q-Schalter |
| Puls Breet | 10 ns ~ 20 ns |
| Beam Divergenz | ≯0.4mrad (aner Ufuerderunge kënne personaliséiert ginn) |
| Pulsenergie Stabilitéit | ＜3% (RMS) |
| Single Aarbechtszäit | ≥60s |
| Bereetgestallt vun | DC 24V ± 4V |
| Muecht | ＜140W (Standby Stroum bei Raumtemperatur:＜1A, schaffen Peak aktuell＜6A, héich an niddreg Temperatur Standby aktuell＜1A) |
| Kommunikatioun Serien Hafen | RS422 |
| Ausléiser Genauegkeet | ≯2μs@20Hz |
| Gewiicht | ≤3 kg |
| Ranging System Indicateuren | |
| Range Modus | Pulsatiounsperiod |
| Range Frequenz | 1-5 Hz |
| Maximal Miessdistanz | ＞8 kmt |
| Minimum Mooss Distanz | Minimum Mooss Distanz |
| Rangéiert Genauegkeet | ± 3m |
| Ëmweltadaptabilitéit | |
| Operatioun Temperatur | -40 ~ 60 ℃ |
| Späichertemperatur | -55 ~ 85 ℃ |
| Vibratioun | X, Y, Z dräi Achsen 3g |
| Schock | X, Y, Z dräi Achs 15g |
| Produit Gréisst | ≤20 mm0 x 160 mm x 75 mm |
