InGaAS-APD Modul Serie

Modell: GD6510Y / GD6511Y / GD6512Y

Kuerz Beschreiwung:

Den Apparat ass en InGaAs Lawine Photodiode Modul mat engem agebaute Preamplifier Circuit, deen déi schwaach konvertéiere kann.Nodeems den aktuellen Signal verstäerkt ass, gëtt et an e Spannungssignalausgang ëmgewandelt fir "optesch-elektresch-Signalverstärkung" Konversiounsprozess ze realiséieren.

kréien Zitat Download

Technesch Parameter

EEGESCHAFTEN

APPLICATIOUN

Produit Tags

Fotoelektresch Charakteristiken (＠Ta＝22±3℃)
Modell	GD6510Y	GD6511Y	GD6512Y
Package Form	BIS-8	BIS-8	BIS-8
Fotosensibel Uewerfläch Duerchmiesser (mm)	0.2	0,5	0,08
Spektral Äntwertbereich (nm)	1000-1700	1000-1700	1000-1700
Ënnerbriechungsspannung (V)	30-70	30-70	30-70
Responsabilitéit M=10 l=1550nm(kV/W)	340	340	340
Opstiegszäit (ns)	5	10	2.3
Bandbreedung (MHz)	70	35	150
Äquivalent Geräischerkraaft (pW/√Hz)	0.15	0.21	0.11
Aarbechtsspannungstemperatur Koeffizient T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)	0.12	0.12	0.12
Konzentrizitéit (μm)	≤50	≤50	≤50
Alternativ Modeller vun der selwechter Leeschtung weltwäit	C3059-1550-R2A Fotoen	/	C3059-1550-R08B Fotoen

Front Fliger Chip Struktur

Schnell Äntwert

Héich Detektorempfindlechkeet

Laser rangéiert

Lidar

Laser Warnung