1064nmAPD Modul Serie

Modell: GD6212Y / GD6213Y / GD6219Y

Kuerz Beschreiwung:

Den Apparat ass en 1064nm verstäerkten Silicon Lawine Photodiode Modul mat engem agebaute Preamplifier Circuit, dee schwaach Stroumsignaler verstäerken kann an se an Spannungssignalausgaben konvertéieren, de Konversiounsprozess vun "optesch-elektresch-Signalverstärkung" realiséieren.

kréien Zitat Download

Technesch Parameter

EEGESCHAFTEN

APPLICATIOUN

Produit Tags

Fotoelektresch Charakteristiken (＠Ta＝22±3℃)
Modell	GD6212Y	GD6213Y	GD6219Y
Package Form	BIS-8	BIS-8	BIS-8
Fotosensibel Uewerfläch Duerchmiesser (mm)	0.8	0.8	3
Spektral Äntwertbereich (nm)	400-1100	400-1100	400-1100
Ënnerbriechungsspannung (V)	350-500	350-500	350-500
Responsabilitéit M=100 I=1064nm(kV/W)	150	200	280
Opstiegszäit (ns)	8.8	2	7
Bandbreedung (MHz)	40	175	50
Äquivalent Geräischerkraaft (pW/√Hz)	0.15	0.15	2.7
Aarbechtsspannungstemperatur Koeffizient T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃)	2.2	2.2	2.4
Konzentrizitéit (μm)	≤50	≤50	≤50
Alternativ Modeller vun der selwechter Leeschtung weltwäit	C30950	C30659-1060-R8BH Fotoen	C30659-1060-3A

Front Fliger Chip Struktur

Héich Äntwert Frequenz

Héich Detektorempfindlechkeet

Laser rangéiert

Lidar

Laser Warnung