PIN Serie

PIN Serie

  • 850nmPIN Modul Serie

    850nmPIN Modul Serie

    Den Apparat ass e Silizium PIN Photodiode Modul mat engem agebaute Preamplifier Circuit, deen de schwaache Stroumsignal verstäerken kann an et an e Spannungssignaloutput konvertéieren, de Konversiounsprozess vun der "optesch-elektresch-Signalverstärkung" realiséieren.

  • 900nmPIN Single Tube Serie

    900nmPIN Single Tube Serie

    Den Apparat ass eng Silizium PIN Photodiode, déi ënner ëmgedréint Biasbedéngungen funktionnéiert.D'Spektralreaktioun rangéiert vu sichtbarem Liicht bis no-Infrarout, an d'Spëtzeaktiounswellelängt ass 930nm.

  • 1064nmPIN Single Tube Serie

    1064nmPIN Single Tube Serie

    Den Apparat ass eng Silizium PIN Photodiode, déi ënner ëmgedréint Biasbedéngungen funktionnéiert.D'Spektralreaktioun rangéiert vu sichtbarem Liicht bis no-Infrarout.D'Spëtzt vun der Äntwertwellelängt ass 980nm, an d'Äntwert kann 0.3A / W bei 1064nm erreechen.

  • Véier-Quadrant PIN Single Rouer Serie

    Véier-Quadrant PIN Single Rouer Serie

    Den Apparat ass véier Silicon PIN photodiodes mat der selwechter Eenheet, schaffen ënner der Konditioun vun ëmgedréint Bias, d'Spektral Äntwert rangéiert vu siichtbar Liicht bis no-Infrarout, d'Spëtzt Äntwert Wellelängt ass 980nm, an d'Äntwert op 1064nm kann bis zu 0,5A erreechen. /W.

  • Véier-Quadrant PIN Modul Serie

    Véier-Quadrant PIN Modul Serie

    Den Apparat ass en eenzege véier-Quadrant oder duebel véier-Quadrant Silicon PIN photodiode Modul mat engem agebaute Preamplifier Circuit, deen de schwaache Stroum Signal verstäerken kann an et an eng Spannung Signal Wasserstoff ëmgewandelt, realiséiert de Konversioun Prozess vun "optesch-elektresch" -Signalverstärkung".

  • UV verstäerkte PIN Single Tube Serie

    UV verstäerkte PIN Single Tube Serie

    Den Apparat ass eng UV-verstäerkte Silizium PIN Photodiode, déi ënner ëmgedréint Biasbedéngungen funktionnéiert.

    D'Spektralreaktioun variéiert vun ultraviolet bis no-Infrarout.D'Peak Äntwert Wellelängt ass 800nm, an d'Äntwert kann 0.15A / W bei 340nm erreechen.